一、集成電路封裝技術(shù)的發(fā)展可分為哪幾個(gè)階段

集成電路需要進(jìn)行芯片封裝處理，主要是為了固定集成電路，使其免受物理?yè)p傷、化學(xué)損傷，并能增強(qiáng)散熱性能、便于安裝和運(yùn)輸。集成電路封裝技術(shù)發(fā)展至今，已經(jīng)經(jīng)過(guò)了四個(gè)階段：

1、通孔插裝階段

20世紀(jì)70年代是通孔插裝時(shí)代，以雙列直插封裝（DIP）為代表，DIP適合在印刷電路板上穿孔焊接，操作方便。在衡量一個(gè)芯片封裝技術(shù)是否先進(jìn)的重要指標(biāo)是芯片面積和封裝面積之比越接近于1，這種封裝技術(shù)越先進(jìn)。DIP封裝因?yàn)樾酒娣e和封裝面積之比相差大，故封裝完成后體積也比較大，因此在無(wú)法滿足小型化等要求的情況下而逐步被淘汰。

2、表面貼裝階段

20世紀(jì)80年代是表面貼裝時(shí)代，以薄型小尺寸封裝技術(shù)（TSOP）為代表，到目前為止依然保留著內(nèi)存封裝的主流地位。改進(jìn)的TSOP技術(shù)依然被部分內(nèi)存制造商所采用。

3、面積陣列封裝階段

20世紀(jì)90年代出現(xiàn)了跨越式發(fā)展，進(jìn)入了面積陣列封裝時(shí)代，該階段出現(xiàn)了球柵陣列封裝（BGA）為代表的先進(jìn)封裝技術(shù)，這種技術(shù)在縮減體積的同時(shí)提高了系統(tǒng)性能。其次還有芯片尺寸封裝（CSP）、無(wú)引線四邊扁平封裝（PQFN）、多芯片組件（MCM）。BGA技術(shù)的成功開(kāi)發(fā)，讓一直落后于芯片發(fā)展的封裝終于追上了芯片發(fā)展的步伐，CSP技術(shù)解決了長(zhǎng)期存在的芯片小，封裝大的矛盾，引發(fā)了集成電路封裝領(lǐng)域的技術(shù)革命。

4、三維封裝、系統(tǒng)級(jí)封裝階段

進(jìn)入21世紀(jì)，封裝技術(shù)迎來(lái)了三維封裝、系統(tǒng)級(jí)封裝的時(shí)代。它在封裝觀念上發(fā)生了革命性的變化，從原來(lái)的封裝元件概念演變成封裝系統(tǒng)，主要有系統(tǒng)級(jí)芯片封裝（SoC）、微機(jī)電系統(tǒng)封裝（MEMS）。

二、集成電路封裝技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

集成電路封裝技術(shù)發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入到先進(jìn)封裝技術(shù)時(shí)代，未來(lái)集成電路封裝技術(shù)的發(fā)展主要呈現(xiàn)三大趨勢(shì)：

1、功能多樣化

封裝對(duì)象從最初的單裸片向多裸片發(fā)展，一個(gè)芯片封裝下可能有多種不同功能的裸片。

2、連接多樣化

封裝下的內(nèi)部互連技術(shù)不斷多樣化，從凸塊（Bumping）到嵌入式互連，連接的密度不斷提升。

3、堆疊多樣化

器件排列已經(jīng)從平面逐漸走向立體，通過(guò)組合不同的互連方式構(gòu)建豐富的堆疊拓?fù)?。先進(jìn)封裝技術(shù)的發(fā)展延伸和拓展了封裝的概念，從晶圓到系統(tǒng)均可用“封裝”描述集成化的處理工藝。