一、mos管燒掉的原因有哪些

mos管，全稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，是一種常用于電子電路中的半導(dǎo)體器件。但是，在電路設(shè)計(jì)和操作過(guò)程中，常常會(huì)發(fā)生mos管燒毀的情況，導(dǎo)致電子設(shè)備的故障。那么，mos管燒毀的原因是什么呢？本文將從多個(gè)方面分步驟闡述。

1、加熱過(guò)程中因氧化層受損

mos管的核心是由金屬控制電流流動(dòng)的金屬柵極和半導(dǎo)體材料組成的氧化層。氧化層中的氧化物具有良好的隔離性，以防止電流流入。但是，如果氧化層在制造過(guò)程中受到損壞，或在使用過(guò)程中由于局部加熱導(dǎo)致?lián)p壞，將使mos管的隔離性大大降低，從而導(dǎo)致電路短路，隨之而來(lái)的是mos管的燒毀。

2、通電時(shí)因超過(guò)承受電壓

mos管在使用過(guò)程中，必須保持適當(dāng)?shù)碾妷汉碗娏鞣秶?。如果電路設(shè)計(jì)或使用中對(duì)電壓過(guò)高或電流過(guò)大，將導(dǎo)致mos管內(nèi)部的元器件無(wú)法承受，致使內(nèi)部失效和燒毀。

3、外部應(yīng)力因素作用

在電子電路中，mos管的工作溫度受到外界環(huán)境因素的影響。如地震、高溫、潮濕等極端環(huán)境下，mos管可能會(huì)受到損壞，從而導(dǎo)致失效和燒毀。此外，日常使用中人為因素，如不當(dāng)連接、彎曲、撞擊等亦可能導(dǎo)致mos管損壞。

4、由于使用壽命過(guò)長(zhǎng)

mos管是一種電子元器件，其使用壽命是有限的。在使用時(shí)間過(guò)長(zhǎng)、性能下降的情況下，會(huì)出現(xiàn)各種各樣的燒毀現(xiàn)象。在mos管老化過(guò)程中，電極之間漸漸失去隔離性能，同時(shí)通電時(shí)也會(huì)出現(xiàn)許多“噪聲”，這些因素都可能導(dǎo)致mos管的失效?？偟膩?lái)說(shuō)，mos管燒毀是由多種因素共同作用而形成的。想要有效避免mos管燒毀，我們應(yīng)該在選擇和使用mos管時(shí)嚴(yán)格按照規(guī)范操作。對(duì)于一旦有了問(wèn)題，及時(shí)采取維修措施以確保設(shè)備正常運(yùn)轉(zhuǎn)。

二、MOS管失效的5大原因及解決措施介紹

1、雪崩失效（電壓失效）

雪崩失效也就是我們常說(shuō)的漏源間的BVdss電壓超過(guò)MOSFET的額定電壓，并且超過(guò)達(dá)到了一定的能力從而導(dǎo)致MOSFET失效。

雪崩失效的預(yù)防措施：雪崩失效歸根結(jié)底是電壓失效，因此預(yù)防我們著重從電壓來(lái)考慮。

2、柵極電壓失效

造成柵極電壓異常高的主要原因有三：生產(chǎn)、運(yùn)輸、裝配過(guò)程中的靜電；電力系統(tǒng)運(yùn)行中設(shè)備和電路寄生參數(shù)引起的高壓諧振；在高壓沖擊過(guò)程中，高壓通過(guò)Ggd傳輸?shù)诫娋W(wǎng)（在雷擊試驗(yàn)中，這種原因引起的故障更常見(jiàn)）。

柵極電壓失效的預(yù)防措施：柵極和源極之間的過(guò)電壓保護(hù)：如果柵極和源極之間的阻抗過(guò)高，漏極和源極之間電壓的突然變化將通過(guò)電極間電容耦合到柵極上，導(dǎo)致非常高的UGS電壓超調(diào)，從而導(dǎo)致柵極超調(diào)。氧化物層永久性損壞。如果是正方向上的UGS瞬態(tài)電壓，設(shè)備也可能導(dǎo)通錯(cuò)誤。為此，應(yīng)適當(dāng)降低柵極驅(qū)動(dòng)電路的阻抗，并在柵極和源極之間并聯(lián)一個(gè)阻尼電阻或一個(gè)穩(wěn)壓約20V的調(diào)壓器。必須特別注意防止開(kāi)門(mén)操作。

3、SOA失效（電流失效）

SOA失效是指電源在運(yùn)行時(shí)異常的大電流和電壓同時(shí)疊加在MOSFET上面，造成瞬時(shí)局部發(fā)熱而導(dǎo)致的破壞模式?；蛘呤切酒c散熱器及封裝不能及時(shí)達(dá)到熱平衡導(dǎo)致熱積累，持續(xù)的發(fā)熱使溫度超過(guò)氧化層限制而導(dǎo)致的熱擊穿模式。

SOA失效的預(yù)防措施：（1）確保在最差條件下，MOSFET的所有功率限制條件均在SOA限制線以內(nèi)。（2）將OCP功能一定要做精確細(xì)致。

4、靜電失效

靜電的基本物理特性是：有吸引力或斥力；有電場(chǎng)，與地球有電位差；產(chǎn)生放電電流。

靜電失效預(yù)防措施：MOS電路輸入端的保護(hù)二極管在通電時(shí)的電流容限為1毫安。當(dāng)可能出現(xiàn)過(guò)大的瞬時(shí)輸入電流（大于10mA）時(shí)，輸入保護(hù)電阻應(yīng)串聯(lián)，同時(shí)，由于保護(hù)電路吸收的瞬時(shí)能量有限，過(guò)大的瞬時(shí)信號(hào)和過(guò)高的靜電電壓會(huì)使保護(hù)電路失效。因此，在焊接過(guò)程中，烙鐵必須可靠接地，以防止設(shè)備輸入端子泄漏。一般使用時(shí)，斷電后，可利用烙鐵的余熱進(jìn)行焊接，其接地腳應(yīng)先焊好。

5、體二極管故障

在橋式、LLC等有用到體二極管進(jìn)行續(xù)流的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中，由于體二極管遭受破壞而導(dǎo)致的失效。在不同的拓?fù)浜碗娐分?，MOS管具有不同的作用。例如，在LLC中，體二極管的速度也是影響MOS管可靠性的一個(gè)重要因素。由于二極管本身是寄生參數(shù)，因此很難區(qū)分漏源體二極管故障和漏源電壓故障。二極管故障的解決方案主要是通過(guò)結(jié)合自身電路來(lái)分析。