一、場效應(yīng)管有幾種類型

場效應(yīng)管分為結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場效應(yīng)管（MOS管）兩大類。

按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種；按導(dǎo)電方式：耗盡型與增強(qiáng)型，結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強(qiáng)型的。

場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管，而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。

二、怎么選擇場效應(yīng)管

1、選擇須合適的勾道（N溝道還是P溝道）

挑選好場效應(yīng)晶體管電子元件的第一步是取決選用N溝道或是P溝道場效應(yīng)晶體管。在典型的功率使用中，當(dāng)1個(gè)場效應(yīng)晶體管接地，而負(fù)載接入到干線電壓上時(shí)，該場效應(yīng)晶體管就組成了低壓側(cè)開關(guān)。在低壓側(cè)開關(guān)中，應(yīng)選用N溝道場效應(yīng)晶體管，它是出自于對(duì)關(guān)閉或?qū)娮釉妷旱目紤]。

2、確定場效應(yīng)管的額定電流，選好額定電流以后，還需計(jì)算導(dǎo)通損耗

在實(shí)際情況下，場效應(yīng)晶體管并不一定是理想的電子元件，歸因于在導(dǎo)電過程中會(huì)有電能消耗，這叫做導(dǎo)通損耗。場效應(yīng)晶體管在“導(dǎo)通”時(shí)好比一個(gè)可變電阻，由電子元件的RDS（ON）所確認(rèn)，并隨溫度而明顯變動(dòng)。

電子元件的功率損耗可由Iload2×RDS（ON）估算，因?yàn)閷?dǎo)通電阻隨溫度變動(dòng)，因而功率損耗也會(huì)隨著按占比變動(dòng)。對(duì)場效應(yīng)晶體管施加的電壓VGS越高，RDS（ON）就會(huì)越小；反之RDS（ON）就會(huì)越高。注意RDS（ON）電阻會(huì)隨著電流輕微升高。關(guān)于RDS（ON）電阻的各類電氣叁數(shù)變動(dòng)可在生產(chǎn)商出示的技術(shù)資料表里得知。

3、確定熱要求，設(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)時(shí)必須考慮到最壞和真實(shí)兩種情況

一般建議采用針對(duì)最壞的結(jié)果計(jì)算，因?yàn)檫@個(gè)結(jié)果提供更大的安全余量，能夠確保系統(tǒng)不會(huì)失效。