一、氮化鎵是什么
氮化鎵(GaN)是氮和鎵化合物,具有半導體特性,早期應用于發(fā)光二極管中,它與常用的硅屬于同一元素周期族,硬度高熔點高穩(wěn)定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料,具有寬帶隙、高熱導率等特點,應用在充電器方面,主要是集成氮化鎵MOS管,可適配小型變壓器和高功率器件,充電效率高。
二、氮化鎵充電器優(yōu)點
簡單來說,氮化鎵號稱第三代半導體核心材料。相對硅而言,氮化鎵擁有更寬的帶隙,寬帶隙也意味著,氮化鎵能比硅承受更高的電壓,擁有更好的導電能力。簡而言之兩種材料在相同體積下,氮化鎵比硅的效率高出不少。如果氮化鎵替換現(xiàn)在所有電子設備,可能會讓電子產(chǎn)品的用電量再減少10%或者25%。
在許多電源管理產(chǎn)品中,氮化鎵是更強的存在。應用層面,采用氮化鎵做充電器的話能夠實現(xiàn)更快充電更小體積。
打個比方說,采用氮化鎵材料做出來的充電頭,體積和蘋果5W差不多大的情況下,能實現(xiàn)更多的功率。蘋果的5W充電頭實現(xiàn)的充電效率相信大家都懂的,未來新的材料大規(guī)模應有后就有望改變這種情況。
氮化鎵(GaN)等新技術有望大幅改進電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。
對于用戶,最直接的好處就是能帶來更快的充電,但是體積卻不會因此而增大。因為GaN氮化鎵材料本身的特質,因此充電器如果采用了GaN氮化鎵做材料,那么不僅可以實現(xiàn)體積小、重量輕;對于發(fā)熱量與效率轉化也有非常明顯的提高。很多產(chǎn)品一旦發(fā)熱效率就會明顯的下降,比如CPU、充電頭等。
三、氮化鎵充電器的缺點
氮化鎵充電器主要缺點是成本高。氮化鎵作為新型第三代化合物,合成環(huán)境要求很高,從制造工藝上講,氮化鎵沒有液態(tài),不能使用單晶硅的傳統(tǒng)直拉法拉出單晶,純靠氣體反應合成,在氨氣流中超過1000度加熱金屬鎵半小時才能形成粉末狀氮化鎵,所以氮化鎵充電器的成本更高,對應市面上的氮化鎵充電器售價也比傳統(tǒng)充電器高出一大截。
隨著氮化鎵技術的普及應用,氮化鎵充電器成本可能會逐步降下來,之后的價格應該能回歸到百元內。