著錄信息
- 專利名稱：一種MOSFET器件
- 專利類型：實(shí)用新型
- 申請(qǐng)?zhí)枺?/em>CN201620786862.6
- 公開(kāi)(公告)號(hào)：CN205944098U
- 申請(qǐng)日：20160725
- 公開(kāi)(公告)日：20170208
- 申請(qǐng)人：吉林華微電子股份有限公司
- 發(fā)明人：左義忠,楊壽國(guó),張海宇,曲亮,賈國(guó)
- 申請(qǐng)人地址：132013 吉林省吉林市高新區(qū)深圳街99號(hào)
- 申請(qǐng)人區(qū)域代碼：CN220211
- 專利權(quán)人：吉林華微電子股份有限公司
- 洛迦諾分類：無(wú)
- IPC：H01L29/40,H01L29/423,H01L29/78,H01L21/336
- 優(yōu)先權(quán)：無(wú)
- 專利代理機(jī)構(gòu)：北京超凡志成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11371
- 代理人：畢強(qiáng)
- 審查員：無(wú)
- 國(guó)際申請(qǐng)：無(wú)
- 國(guó)際公開(kāi)(公告)：無(wú)
- 進(jìn)入國(guó)家日期：無(wú)
- 分案申請(qǐng)：無(wú)
關(guān)鍵詞
源極金屬,柵電極區(qū),柵溝槽,溝道,肖特基結(jié),半導(dǎo)體器件技術(shù),本實(shí)用新型,電場(chǎng),電場(chǎng)屏蔽,溝道電子,溝道電阻,肖特基源,依次設(shè)置,遷移率,勢(shì)壘區(qū),肖特基,承載
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