著錄信息
- 專利名稱：低輸入電容功率半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管
- 專利類型：實(shí)用新型
- 申請(qǐng)?zhí)枺?/em>CN201420656956.2
- 公開(kāi)(公告)號(hào)：CN204375754U
- 申請(qǐng)日：20141103
- 公開(kāi)(公告)日：20150603
- 申請(qǐng)人：吉林華微電子股份有限公司
- 發(fā)明人：左義忠,高宏偉,張海宇,賈國(guó)
- 申請(qǐng)人地址：132013 吉林省吉林市深圳街99號(hào)
- 申請(qǐng)人區(qū)域代碼：CN220211
- 專利權(quán)人：吉林華微電子股份有限公司
- 洛迦諾分類：無(wú)
- IPC：H01L29/40,H01L29/78,H01L21/336
- 優(yōu)先權(quán)：無(wú)
- 專利代理機(jī)構(gòu)：長(zhǎng)春菁華專利商標(biāo)代理事務(wù)所 22210
- 代理人：陶尊新
- 審查員：無(wú)
- 國(guó)際申請(qǐng)：無(wú)
- 國(guó)際公開(kāi)(公告)：無(wú)
- 進(jìn)入國(guó)家日期：無(wú)
- 分案申請(qǐng)：無(wú)
關(guān)鍵詞
多晶硅,場(chǎng)板,多晶硅柵,電容,場(chǎng)效應(yīng)晶體管,多晶硅柵極,功率半導(dǎo)體,兩側(cè),絕緣層,半導(dǎo)體器件技術(shù),半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng),溝道長(zhǎng)度,米勒電容,柵氧化層,有源,小于,金屬,芯片,大于
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