吉林華微電子股份有限公司是集功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)研發(fā)、芯片加工、封裝測(cè)試及產(chǎn)品營(yíng)銷為一體的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)。公司總資產(chǎn)68億元,員工2300余人,技術(shù)人員占公司總?cè)藬?shù)的30%以上,占地面積40萬平方米,建筑面積13.5萬平方米,凈化面積17000平方米,主要凈化級(jí)別為0.3微米百級(jí)。公司于2001年3月在上海證券交易所上市,股票代碼600360,為國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域上市公司(主板A股)。
華微電子緊隨市場(chǎng)發(fā)展,將積累多年的技術(shù)經(jīng)驗(yàn)厚積薄發(fā),引導(dǎo)技術(shù)前沿,開拓新興領(lǐng)域。公司擁有4英寸、5英寸與6英寸等多條功率半導(dǎo)體分立器件及IC芯片生產(chǎn)線,芯片加工能力為每年400萬片,封裝資源為每年24億只,模塊每年1500萬塊。公司在終端設(shè)計(jì)、工藝制造和產(chǎn)品設(shè)計(jì)方面擁有多項(xiàng)專利,各系列產(chǎn)品采用IGBT、MOS、雙極技術(shù)及集成電路等核心制造技術(shù),其中IGBT薄片工藝、Trench工藝、壽命控制和終端設(shè)計(jì)技術(shù)等國(guó)內(nèi)領(lǐng)先,達(dá)到國(guó)際同行業(yè)先進(jìn)水平。
公司主要生產(chǎn)功率半導(dǎo)體器件及IC,目前公司已形成IGBT、MOSFET、SCR、SBD、IPM、FRD、BJT等為營(yíng)銷主線的系列產(chǎn)品,產(chǎn)品種類基本覆蓋功率半導(dǎo)體器件全部范圍,廣泛應(yīng)用于汽車電子、電力電子、光伏逆變、工業(yè)控制與LED照明等領(lǐng)域,并不斷在新能源汽車、光伏、變頻等戰(zhàn)略性新興領(lǐng)域拓展。
公司各項(xiàng)管理體系完善,通過了ISO9001和IATF16949質(zhì)量管理體系、ISO14001環(huán)境管理體系、ISO45001職業(yè)健康安全管理體系、QC080000有害物質(zhì)過程管理體系及信息化和工業(yè)化融合管理體系、知識(shí)產(chǎn)權(quán)管理體系等各項(xiàng)認(rèn)證,是松下、日立、海信、創(chuàng)維、長(zhǎng)虹等國(guó)內(nèi)外知名企業(yè)的配套供應(yīng)商。華微電子現(xiàn)已成為中國(guó)知名的功率半導(dǎo)體器件制造基地,為深入擴(kuò)大并增強(qiáng)市場(chǎng)服務(wù)能力,公司進(jìn)行了產(chǎn)業(yè)調(diào)整,實(shí)現(xiàn)跨區(qū)域布局,進(jìn)一步增強(qiáng)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)能力。
華微電子以技術(shù)為先導(dǎo),緊隨市場(chǎng)需求變化,通過持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新、結(jié)構(gòu)調(diào)整、創(chuàng)新孵化模式建設(shè)打造半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈。公司以八英寸新型電力電子器件基地為核心的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園將升級(jí)公司的技術(shù)與產(chǎn)品,深入開拓對(duì)經(jīng)濟(jì)長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展具有帶動(dòng)作用的戰(zhàn)略性新興領(lǐng)域。華微電子將持續(xù)拓展,帶動(dòng)上下游產(chǎn)業(yè)、地區(qū)經(jīng)濟(jì)的發(fā)展,引導(dǎo)行業(yè)技術(shù)前沿與時(shí)代發(fā)展,樹立中國(guó)功率半導(dǎo)體的民族品牌,打造世界功率半導(dǎo)體企業(yè)。
商標(biāo)名稱 | 商標(biāo)注冊(cè)號(hào) | 類號(hào) | 申請(qǐng)人 | 商標(biāo)詳情 |
圖形 | 13527940 | 第9類 | 吉林華微電子股份有限公司 | 詳情 |
圖形 | 1654463 | 第9類 | 吉林華微電子股份有限公司 | 詳情 |
JSMC | 5706587 | 第9類 | 吉林華微電子股份有限公司 | 詳情 |
圖形 | 673644 | 第9類 | 吉林華微電子股份有限公司 | 詳情 |
專利號(hào)/專利申請(qǐng)?zhí)?/td> | 專利名稱 | 專利詳情 |
CN201420656956.2 | 低輸入電容功率半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 | 詳情 |
CN201620786862.6 | 一種MOSFET器件 | 詳情 |
CN200710037559.1 | 采用PSG摻雜技術(shù)的VDMOS、IGBT功率器件及其制造工藝 | 詳情 |
CN200820072477.0 | 以塑封料部分取代引線框架材料的器件 | 詳情 |
CN201420120155.4 | 具有溝槽側(cè)面的引線框架 | 詳情 |
標(biāo)準(zhǔn)號(hào) | 標(biāo)準(zhǔn)名稱 | 發(fā)布日期 | 實(shí)施日期 | 標(biāo)準(zhǔn)詳情 |
GB/T 35010.3-2018 | 半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品 第3部分:操作、包裝和貯存指南 | 2018-03-15 | 2018-08-01 | 詳情 |