西安紫光國芯半導(dǎo)體股份有限公司前身為成立于2004年德國英飛凌西安研發(fā)中心的存儲(chǔ)事業(yè)部,2006年分拆成為獨(dú)立的奇夢(mèng)達(dá)科技西安有限公司,2009年被浪潮集團(tuán)收購轉(zhuǎn)制成為國內(nèi)公司并更名為西安華芯半導(dǎo)體有限公司。2015年,紫光集團(tuán)紫光國芯微電子股份有限公司收購西安華芯半導(dǎo)體有限公司并更名為西安紫光國芯半導(dǎo)體有限公司。2019年12月,經(jīng)過重組,西安紫光國芯半導(dǎo)體并入北京紫光存儲(chǔ)科技有限公司。2022年紫光集團(tuán)實(shí)控人變更為智廣芯控股,隨著紫光集團(tuán)重整完畢,西安紫光國芯踏上發(fā)展新征程。
公司是以DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)存儲(chǔ)技術(shù)為核心的產(chǎn)品和服務(wù)提供商,核心業(yè)務(wù)包括存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)開發(fā),存儲(chǔ)器產(chǎn)品量產(chǎn)銷售,以及專用集成電路設(shè)計(jì)開發(fā)服務(wù),產(chǎn)品包括DRAMKGD、DRAM顆粒、DRAM模組、系統(tǒng)產(chǎn)品和設(shè)計(jì)服務(wù)。目前公司員工人數(shù)超過600名,其中研發(fā)工程師占比80%以上,70%擁有碩士或博士學(xué)位。公司還擁有二十余位外籍專家和海外留學(xué)歸國人員。
公司多年來一直專注于存儲(chǔ)器尤其是DRAM存儲(chǔ)器的研發(fā)和技術(shù)積累,擁有從產(chǎn)品立項(xiàng)、指標(biāo)定義、電路設(shè)計(jì)、版圖設(shè)計(jì)到硅片、顆粒、內(nèi)存條測(cè)試及售前售后技術(shù)支持等全方面技術(shù)積累。二十余款芯片產(chǎn)品和四十余款模組產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)全球量產(chǎn)和銷售。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、移動(dòng)通訊、消費(fèi)電子及工業(yè)應(yīng)用等領(lǐng)域。在面向大數(shù)據(jù)和人工智能等新興領(lǐng)域,公司采用三維集成技術(shù),實(shí)現(xiàn)將邏輯晶圓和DRAM晶圓的異質(zhì)集成,開發(fā)出高帶寬、大容量的3DDRAM芯片,及內(nèi)嵌超高帶寬超低功耗DRAM的人工智能(AI)芯片。公司還在NANDFlash、NORFlash和新型存儲(chǔ)器RRAM等領(lǐng)域開發(fā)有產(chǎn)品,進(jìn)行了研發(fā)布局。
西安紫光國芯同時(shí)還擁有數(shù)字電路和混合電路設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì),提供基于世界優(yōu)秀工藝的ASIC設(shè)計(jì)開發(fā)驗(yàn)證服務(wù)。公司具備從設(shè)計(jì)規(guī)格到芯片流片完整流程的設(shè)計(jì)開發(fā)經(jīng)驗(yàn),包括:設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)、功能驗(yàn)證、綜合和DFT、物理實(shí)現(xiàn)、時(shí)序、物理檢查及流片。公司在過去幾年中成功為客戶完成了十余款基于65nm/40nm/28nm/14nm/10nm/7nm/5nm,和目前精良的4nm工藝的SoC芯片設(shè)計(jì)和流片,幫助客戶完成芯片設(shè)計(jì)和測(cè)試。公司也成功提供多款從產(chǎn)品定義開始完成芯片架構(gòu)設(shè)計(jì)、電路設(shè)計(jì)、仿真驗(yàn)證、后端設(shè)計(jì)、流片、測(cè)試驗(yàn)證、量產(chǎn)工程全流程的“交鑰匙”芯片開發(fā)服務(wù)。
公司是“國家高新技術(shù)企業(yè)”、“國家企業(yè)技術(shù)中心”、“國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)優(yōu)勢(shì)企業(yè)”、“西安市存儲(chǔ)器工程技術(shù)研究中心”,公司建設(shè)有占地面積2000余平米的世界前列水平的存儲(chǔ)器芯片測(cè)試、模組測(cè)試、模組應(yīng)用和ASIC測(cè)試實(shí)驗(yàn)室4個(gè),大型成套測(cè)試設(shè)備30余臺(tái)套。可支持各類存儲(chǔ)器和ASIC產(chǎn)品的功能和性能測(cè)試驗(yàn)證分析、量產(chǎn)測(cè)試工程開發(fā)、應(yīng)用工程測(cè)試、以及小批量生產(chǎn)和工程樣品開發(fā)。
標(biāo)準(zhǔn)號(hào) | 標(biāo)準(zhǔn)名稱 | 發(fā)布日期 | 實(shí)施日期 | 標(biāo)準(zhǔn)詳情 |
GB/T 36474-2018 | 半導(dǎo)體集成電路 第三代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 (DDR3 SDRAM)測(cè)試方法 | 2018-06-07 | 2019-01-01 | 詳情 |